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Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2
Top :
V GS
15.0 V
10
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
10
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
150 C
10
1
o
10
25 C
-55 C
0
o
o
* Notes :
10
2. T C = 25 C
-1
* Notes :
1. 250 ? s Pulse Test
o
10
0
2
4
6
8
1. V DS = 40V
2. 250 ? s Pulse Test
10
12
10
10
10
-1
0
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.3
1.2
1.1
1.0
2
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
0.9
0.8
0.7
0.6
V GS = 10V
1
* Note : T J = 25 C
25 C
0.5
0.4
0.3
0.2
V GS = 20V
o
150 o C
o
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
10
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
2000
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 60V
V DS = 150V
V DS = 240V
1000
* Note :
6
4
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 14A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB14N30 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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